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551.
电容式MEMS角速率传感器零位的全温稳定性是其实用化的最重要的技术指标之一。分析了陀螺工作原理,从传感器敏感表头的空气阻尼、谐振频率等方面分析了机械结构的温度特性,得出了在全温区内驱动力与传感器零位输出的相关性。根据对陀螺表头和接口电路的温度特性分析,设计了恒定跨导高线性度的运算放大器,实现了全温低相位偏移、低幅值偏移的接口ASIC,并在高压N阱COMS工艺下流片。通过驱动力信号对零位进行温度补偿,包含了机械结构刚度和空气热阻尼等因素的影响,理论上比单独的谐振频率补偿更准确,而且驱动力信号可直接由接口电路给出,避免复杂的采样。在-40℃60℃的温度范围内进行零位温度循环测试,驱动力幅值对零位输出进行三阶拟合补偿,补偿后全温零位温度漂移小于26.7(°)/h(1σ)。 相似文献
552.
为了进一步满足振梁式加速度计(VBA)对前端放大接口电路增益、带宽以及噪声的更高要求,提出了一种适用于硅微振梁式加速度计的可实现增益、带宽独立调控的低噪声前端放大接口电路。该设计基于T型接口电路的两级拓扑结构,有效解决了增益、带宽和噪声之间的制约问题。通过仿真与实验结果表明,该设计在等效跨阻增益为40MΩ的前提下,最终实现了带宽为410kHz、相位误差为1.2°、等效输入电流噪声密度为8.9fA/Hz。基于该设计的实验样机在上电稳定后1h零偏不稳定性达1.156μg,相较于传统一级跨阻接口电路减小了49.2%(2.274μg),验证了该新型接口电路的可行性和优越性。 相似文献
553.
本文开展了对CMV4000传感器国产化替代的研究工作以及芯片验证平台设计工作,替代芯片为上海集成电路生产的ASG043传感器芯片。本文首先通过元器件手册信息,从硬件电路和FPGA软件设计两个角度开展替代工作的研究。然后在搭载ASG043图像传感器的星敏感器上对电源以及图像传感器驱动代码进行设计修改,以满足国产ASG043传感器的供电,时序,训练等要求,ASG043成功运行后,对比替代前后黑白图及采集星点图像。由对比结果可知其成像效果与进口探测器相当,可在不更改印制板的条件下原位置替代CMV4000图像传感器。 相似文献
554.
555.
556.
高速飞行器面临严峻的外部气动热和内部设备热环境,以热防护系统和热管理系统组成的综合热管 理方案决定该类飞行器总体方案的闭合性,因此需要在飞行器初步方案设计阶段对综合热管理系统设计方案 进行快速仿真计算和可行性评估。以电子设备舱为例,采用模块化设计和一维简化方法,构建一个将飞行器热 源、传热和热控等热环境因素进行模块化封装的快速仿真平台;通过仿真算例对该平台进行验证。结果表明: 该平台可以快速实现飞行器电子设备舱综合热管理方案的模型搭建、计算与评估。 相似文献
557.
为了确保星载微波电路用高纯氧化铝基板的国产化可靠替代,本文通过全面分析星载产品用高纯氧化铝基板的工艺适用性验证需求,研究建立了星载微波电路用高纯氧化铝基板的工艺适用性验证指标体系,确定了验证试验项目,利用微波电路工艺件试验和组件产品环境适应性考核等试验验证手段,示范性地阐释了陶瓷基板类材料工艺适用性验证方法。研究表明,基于验证需求分析确定验证项目,通过试验与工艺实践获得各类验证数据进行多维度综合评价,可以给出客观完整、科学有效的工艺适用性验证结论。 相似文献
558.
针对目前自适应时频分析方法在模拟电路故障诊断方向理论研究尚不完善、缺乏实践验证等方面的问题,采用改进LCD算法及分维理论相结合的方法进行理论研究及实物验证。对被测点所采集数据进行预处理后直接进行LCD分解并计算各分量分维数作为故障特征,输入神经网络进行故障诊断。仿真结果验证了该方法的有效性;实物验证成功分类了2类电路状态,并阐明了分类结果杂散点较多的原因。 相似文献
559.
空中威胁态势探测与告警是无人机飞行防相撞预警的关键。为此,提出一种基于航迹预测的无人机防相撞空中威胁态势探测与告警方法。在该方法中,先采用滑动窗多项式拟合法对入侵机航迹进行动态预测,然后,在航迹预测基础上,利用无人机与入侵机飞行信息,建立针对入侵机的无人机动态避撞区,最后,结合静态保护区原理,对特定飞行场景下的无人机飞行冲突趋势、空中危险接近趋势和飞行碰撞趋势的探测与告警。仿真实例验证了所提出方法的有效性,也验证了其用于无人机飞行防相撞预警的可行性。 相似文献
560.
接口阻抗测试是航天产品中对产品状态是否正常来进行判断的常用方法。在航天产品应用中,通常认为接口芯片阻抗测试异常即代表该接口芯片已经失效。本文针对一种LVDS接口发送芯片由静电导致阻抗测试异常,但功能正常的现象进行分析。在元器件失效分析的基础上,定位静电损伤的位置为芯片内部静电防护电路,从而建立了对应的电路模型,对芯片静电损伤的现象进行理论分析。分析说明:该芯片在被静电打击时,其静电防护电路中一个NMOS管受损,但该电路保护了芯片的功能电路,被击穿的NMOS管等效为一个电阻,因此导致阻抗测试异常,但芯片功能电路未受损的现象,为静电软击穿现象。且可认为该芯片在受静电影响后并未失效,相关电路仍具有正常工作的能力。即阻抗异常现象并不是芯片失效的充分条件。 相似文献